Samsung ohlásil nové DRAM–nižší spotřeba, vyšší rychlost

Samsung ohlásil nové DRAM–nižší spotřeba, vyšší rychlost 2012-9-30

Smartphony a tablety mají stále jeden výrazný problém a to výdrž baterií. V tomto roce se také dostávají ve větším počtu i nové více jádrové procesory, které slibují nejen vyšší rychlost, ale také nižší spotřebu než jedno jádrové procesory na stejných aplikacích. Společnost Samsung nyní oznámila, že pracuje na nových pamětích DRAM, které slibují vyšší rychlost a nižší spotřebu. Objeví se v mobilních telefonech a tabletech.

samsung-galaxy-tab-press-4

Nové paměti slibují přenosovou rychlost až 12.8 GB za sekundu, což je 4x rychlejší než paměti LPDDR2 DRAM (3.2GBps) a 8x rychlejší než DDR DRAM (1.8GBps). Největším bodem zlepšení je hlavně spotřeba, nové I/O DRAM mají až o 87% nižší spotřebu než stávající paměti DRAM. Ve výsledku tyto paměti mohou mít celkově kapacitu až 4GB (nyní jsou 1GB moduly).

Samsung Develops Mobile DRAM with Wide I/O Interface

Aby Samsung mohl dojít k takovému zlepšení, musel změnit dost výrazně technologii výroby. Nové paměti mají již 512 pinů oproti starší 32-pinové generaci. Nyní budou vyráběny 20 nanometrovou technologií a to vše přispívá k lepšímu řízení spotřeby a možnosti dosahovat nejen vyšší rychlost, ale i kapacity.

Ještě tento rok by se mělo objevit více informací o nadcházející generaci pamětí, ale ve spojení například s nVidií Tegra 3 (quad core) by jste tak získali opravdu nadupané mobilní zařízení. Do mobilních zařízeních se mohou dostat již ke konci roku 2012.

Přemysl Vaculík

Androiďák, šéfredaktor, tvůrce @dotekomanie a +dotekomanie.cz. Také milovník adrenalinových sportů, na které nemá čas.